উচ্চ-বিশুদ্ধ SiC ওয়েফার বোট

সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনের ক্ষেত্রে, উচ্চ-তাপমাত্রার প্রক্রিয়াগুলো ওয়েফার ক্যারিয়ারের জন্য চরম চ্যালেঞ্জ তৈরি করে। যখন তাপমাত্রা ১৬০০℃ ছাড়িয়ে যায়, তখন প্রচলিত কোয়ার্টজ ক্যারিয়ার (ওয়েফারে ব্যবহৃত কোয়ার্টজ বোট) নরম ও বিকৃত হতে শুরু করে এবং দূষক পদার্থ নির্গত করে, যার ফলে ওয়েফার বাতিলের হার ব্যাপকভাবে বেড়ে যায়।

সিলিকন কার্বাইডের (SiC) সহজাত উপাদানগত সুবিধার কারণে উচ্চ-বিশুদ্ধ SiC ওয়েফার বোট এই শিল্পগত সমস্যাটির সম্পূর্ণ সমাধান করে এবং উন্নত সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদন, বিশেষ করে SiC পাওয়ার ডিভাইস উৎপাদনের জন্য একটি অপরিহার্য উপকরণে পরিণত হয়।

পণ্যটির মূল ভৌত বৈশিষ্ট্য এবং প্রযুক্তিগত পরামিতি:

সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার ক্যারিয়ারের (SiC ওয়েফার ক্যারিয়ার) চমৎকার কর্মক্ষমতা এর অনন্য পদার্থ বিজ্ঞানগত বৈশিষ্ট্যের কারণে হয়ে থাকে। নিচে এর প্রধান ভৌত পরামিতিগুলোর একটি বিস্তারিত তুলনা দেওয়া হলো:

এই প্যারামিটারগুলো সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনে সরাসরি উন্নত ফলন এবং হ্রাসকৃত ব্যয়ের দিকে পরিচালিত করে, যা নিম্নরূপে দেখানো হলো:

তাপীয় কর্মক্ষমতার সুবিধা: SiC-এর প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ (৩.২৬ eV) নিশ্চিত করে যে এটি ২০০০°C তাপমাত্রায়ও একটি স্থিতিশীল স্ফটিক কাঠামো বজায় রাখে এবং তাপীয় বিকৃতি এড়ায়। এর উচ্চ তাপ পরিবাহিতা (৪.৯ W/cm·K) ওয়েফারটিকে আরও সুষমভাবে উত্তপ্ত হতে সাহায্য করে এবং তাপীয় পীড়নের কারণে সৃষ্ট ল্যাটিস ত্রুটি দূর করে।

যান্ত্রিক শক্তি: ৯.২ মোহস কাঠিন্য প্রক্রিয়াকরণকালীন বাহ্যিক আঘাত প্রতিরোধ করে এবং এর কার্যকাল প্রচলিত কোয়ার্টজ ক্যারিয়ারের চেয়ে ১০ গুণেরও বেশি। এর অনন্য অর্ধবৃত্তাকার স্লট ডিজাইন ওয়েফার সংস্পর্শ চাপকে ৫ এমপিএ-এর নিচে নিয়ন্ত্রণ করে, যা উচ্চ-তাপমাত্রার স্লিপের ঘটনাকে মূলত দূর করে।

রাসায়নিক নিষ্ক্রিয়তা: HF এবং HCl-এর মতো অত্যন্ত ক্ষয়কারী গ্যাসের প্রতি এর সহনশীলতা ১০,০০০ ঘণ্টার বেশি এবং LPCVD, ব্যাপন, জারণ ও অন্যান্য প্রক্রিয়ায় শূন্য দূষণ বজায় থাকে।

উচ্চ বিশুদ্ধ SiC ওয়েফার বোটের মূল ভূমিকা

আমাদের উচ্চ-বিশুদ্ধ SiC ওয়েফার বোট নিম্নলিখিত প্রধান সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদন প্রক্রিয়াগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়:

উচ্চ-তাপমাত্রা অ্যানিলিং: SiC ওয়েফার প্রস্তুতকারকের উৎপাদন লাইনে, ডোপ্যান্ট সক্রিয় করতে এবং ল্যাটিস ত্রুটি মেরামত করতে উচ্চ-তাপমাত্রার অ্যানিলিং একটি গুরুত্বপূর্ণ ধাপ। SiC ওয়েফার বোটের উচ্চ-তাপমাত্রার স্থিতিশীলতা অ্যানিলিং প্রক্রিয়ার একরূপতা এবং কার্যকারিতা নিশ্চিত করে।

এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি: সিলিকন-ভিত্তিক এপিট্যাক্সি হোক বা সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার এপিট্যাক্সি হোক, SiC ওয়েফার বোটের উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং ক্ষয় প্রতিরোধ ক্ষমতা এটিকে উচ্চ-মানের এপিট্যাক্সিয়াল লেয়ারের বৃদ্ধি নিশ্চিত করার জন্য একটি আদর্শ বাহক হিসেবে গড়ে তোলে।

আশ্লেষ: উচ্চ-তাপমাত্রার ডিফিউশন ফার্নেসে, LPCVD ওয়েফার বোটের মধ্যে থাকা SiC ওয়েফার বোট দীর্ঘমেয়াদী উচ্চ-তাপমাত্রার প্রক্রিয়াকরণ সহ্য করতে পারে, যা ডোপিং পরমাণুর সুষম ডিফিউশন নিশ্চিত করে এবং সুনির্দিষ্ট বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য গঠন করে।

পাতলা ফিল্ম জমা: বিশেষ করে Lpcvd ওয়েফার বোট অ্যাপ্লিকেশনের ক্ষেত্রে, SiC ওয়েফার বোটের অত্যন্ত কম কণা নির্গমন এবং চমৎকার তাপ পরিবাহিতা উচ্চ-মানের ও উচ্চ-সুষম ফিল্ম পেতে সাহায্য করে।

সামঞ্জস্যপূর্ণ সরঞ্জাম এবং প্রক্রিয়ার সামঞ্জস্যতা:

✔ প্রচলিত LPCVD ফার্নেসগুলোর (যেমন TEL, Kokusai, ASM, SVG, Tystar, ইত্যাদি) সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।

✔ কাস্টমাইজযোগ্য ওয়েফার স্পেসিফিকেশন, যেমন ১০০মিমি/১৫০মিমি/২০০মিমি

✔ অনুভূমিক এবং উল্লম্ব প্রক্রিয়াকরণ সরঞ্জাম স্থাপন সমর্থন করে

আপনার প্রসেস দক্ষতা এবং পণ্যের উৎপাদন বৃদ্ধি করার জন্য সেমিক্সল্যাবের SiC ওয়েফার বোট একটি আদর্শ পছন্দ এবং এটি উন্নত সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার বোট সলিউশনের ক্ষেত্রে অগ্রণী।

সেমিক্সল্যাব পণ্যের দোকান